電容電壓特性測試儀  型號(hào)：MHY-29375

MHY-29375電容電壓特性測試儀引言

MHY-29375型電容電壓（C-V）特性測試儀是測試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測試儀器。用于測量半導(dǎo)體器件PN結(jié)勢壘在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。

儀器有較高的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辨到0.001pF，偏置電壓分辨率為0.01V，漏電流分辨率為0.01μA或0.1μA（可選）。

該測試儀器性能穩(wěn)定可靠，適用于元件生產(chǎn)廠家，科研部門，高等院校等單位。

2. 原理

CV法利用PN結(jié)或肖特基勢壘在反向偏壓時(shí)的電容特性，可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息，這類測量成為C-V測量技術(shù)。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。

組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢壘電容），加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。

該儀器采用電流電壓測量方法，它用微處理器通過8 次電壓測量來計(jì)算每次測量后要求的參數(shù)值。用一個(gè)相敏檢波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器順序快速完成電壓測量。正交測量通過交換測量信號(hào)的相位來進(jìn)行，而不是參考相位檢測。因而不需要精密的模擬相位轉(zhuǎn)換成電壓矩形波電路。通過從同一個(gè)高頻信號(hào)源形成測試信號(hào)和參考信號(hào)，來保證正確的相位關(guān)系。由微處理器根據(jù)已知的頻率和測試信號(hào)相位，用ROM 存儲(chǔ)器內(nèi)的程序和所存儲(chǔ)的按鍵選擇來控制測量順序，以及存儲(chǔ)在RAM 中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來計(jì)算被測元件數(shù)值。

 MHY-29375技術(shù)參數(shù)

3.1. 測試信號(hào)頻率：1.000MHz±0.01%

3.2. 測試信號(hào)電壓：≤100mVrms

3.3. 測量速率：慢3次/秒，快5次/秒

3.4. 測量范圍：

電容C：0.001-10000 pF

漏電流：0.01-19.99μA

3.5. 直流偏壓：儀器自帶偏壓0.01-35V，分辨率：0.01V；（可外接偏壓源拓展，最大偏壓輸入為100V）

3.6. 工作誤差：±5.0%±2字

3.7. 預(yù)熱時(shí)間：30min

3.8. 供電電源：

交流電壓：220V±10%，頻率：50Hz±5%，消耗功率：≤40W

3.9. 工作環(huán)境

        溫度：0-40℃， 濕度：≤65%